基板処理装置および処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-244730
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151489
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】誘電体膜を分子層単位で成長させる基板処理装置および方法を提供する。【解決手段】処理容器中に、基被処理基板を挟んで対向するように第1および第2の処理ガス供給口を設け、前記第1および第2の処理ガス供給口に前記被処理基板を挟んで対向するよう、第1および第2の処理ガスの流れに略直交してスリット状の第1および第2の排気口を設ける。第1の処理ガスを前記第1の処理ガス供給口から前記第1の排気口の方に、前記被処理基板表面に沿って流し、被処理基板表面に吸着させる。次に第2の処理ガスを第2の処理ガス供給口から前記第2の排気口の方に、前記被処理基板表面に沿って流し、先に吸着されていた第1の処理ガス分子と反応させることにより、1分子層の高誘電体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

処理容器と、前記処理容器中に、前記被処理基板を保持可能に設けられた基板保持台と、前記処理容器中、前記基板保持台の第1の側に形成され、前記基板保持台上の前記被処理基板表面に第1の処理ガスを、前記第1の処理ガスが前記被処理基板表面に沿って、前記第1の側から前記第1の側に対向する第2の側に向かって流れるように供給する第1の処理ガス供給部と、前記処理容器中、前記基板保持台の前記第2の側に形成された第1の排気口と、前記処理容器中、前記基板保持台の前記第2の側に形成され、前記基板保持台上の前記被処理基板表面に第2の処理ガスを、前記第2の処理ガスが前記被処理基板表面に沿って、前記第2の側から前記第1の側に向かって流れるように供給する第2の処理ガス供給部と、前記処理容器中、前記基板保持台の前記第1の側に形成された第2排気口を備えた基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/455 , H01L 21/316 X

Fターム (52件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA06 , 4K030GA06 , 4K030JA05 , 4K030KA02 , 4K030KA10 , 4K030KA11 , 4K030KA12 , 4K030KA24 , 4K030KA46 , 5F045AA03 , 5F045AB31 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EF13 , 5F045EK07 , 5F045EM10 , 5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (7件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-234171 出願人：国際電気株式会社
特開平2-074587
特開平4-179221

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