特許
J-GLOBAL ID：200903076291688154
電子放出素子、電子源基板、および画像形成装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-245623
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 均一な素子電極を形成する。【解決手段】 絶縁基板上において、少なくとも一対の素子電極2、3と、この素子電極間に設けられた、電子放出部を含む薄膜とで構成される表面伝導型電子放出素子を製造する方法ならびに、この方法を用いた電子源基板および画像形成装置の製造方法において、素子電極の形成工程は、前記絶縁基板1上に、印刷法により、素子電極の材料で素子電極2、3パターンを形成する工程と、素子電極パターンを形成した前記絶縁基板に疎水処理21を施す工程と、前記疎水処理を施した後、金属含有溶液22を基板表面に塗布し焼成する工程とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上において、少なくとも一対の素子電極と、この素子電極間に設けられた、電子放出部を含む薄膜とで構成される表面伝導型電子放出素子を製造する方法において、素子電極の形成工程は、前記絶縁基板上に、印刷法により、素子電極の材料で素子電極パターンを形成する工程と、素子電極パターンを形成した前記絶縁基板に疎水処理を施す工程と、前記疎水処理を施した後、金属含有溶液を基板表面に塗布し焼成する工程とを有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01J 9/02
, B41J 2/01
, H01J 1/30
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
, B41J 3/04 101 Z
