自己破壊型半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174596
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012793
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路のメモリ内容への改ざん行為を確実に阻止する。【解決手段】特に重要な秘密情報を記憶させるための揮発性メモリ2と初期化回路8を半導体集積回路1と同じ半導体基板上9に設ける。揮発性メモリ2のメモリ内容は電力供給源6からの電力により保持させる構成とする。電力供給源6が取り外されると、電圧変化検出回路5によりその電圧変化が検出される。電圧変化検出回路5が検出信号を出力すると、制御回路乃至素子4がオフとなり、揮発性メモリ2への給電が断たれると同時に、バックアップ用キャパシタ30に蓄積された電力により初期化回路8が揮発性メモリ2の初期化を行う。

請求項（抜粋）：

半導体メモリ素子とこのメモリ素子に記憶されたデータを処理する中央演算処理素子とが同一半導体基板上に形成された半導体集積回路を有する半導体装置において、正極及び負極用の接続リードを備えた電力供給源を有すると共に、重要情報を記憶する揮発性メモリ素子と、検出信号が入力されたときに揮発性メモリ素子を初期化する初期化回路と、この初期化回路を駆動するための電荷を蓄積しておくバックアップ用キャパシタと、電力供給源の正極及び負極用に設けられた接続端子と、正極及び負極用の接続端子の端子間電圧を監視しその電圧低下に応じて検出信号を出力する電圧変化検出回路と、通常動作時は、揮発性メモリ素子に電力を供給すると共にバックアップ用キャパシタに電荷を蓄積するために、前記接続端子を介して揮発性メモリ素子及びバックアップ用キャパシタと電力供給源とを接続し、電圧変化検出回路から検出信号が出力されたときは前記接続を遮断する制御回路乃至素子とを、それぞれ前記半導体基板上に有し、前記接続端子に電力供給源を接続して配置することを特徴とする自己破壊型半導体装置。

Fターム (8件)：

5F083BS00 , 5F083EP00 , 5F083GA30 , 5F083ZA11 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA20 , 5F083ZA23

引用特許：

出願人引用 (7件)

特許第3592929号
情報秘匿機構
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-279939 出願人：防衛庁技術研究本部長
本人確認機能付きICカードシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-349438 出願人：株式会社フォーカスシステムズ

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