特許
J-GLOBAL ID：200903076296615414
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204768
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053602
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】III-V 族半導体材料を用いて最も短波長である600nm以下の発振波長を有するレーザ素子を室温連続動作下で得る。【構成】n型GaP基板1の上にSiドープn型AlyGa1-yP光導波層2,窒素ドープGax1In1-x1P量子障壁層及び窒素ドープGax2In1-x2P量子井戸層の繰り返しからなる多重量子井戸層13,Znドープp型AlyGa1-yP光導波層6,ZnドープGax3In1-x3P薄膜層7,Znドープp型AlyGa1-yP光導波層8を順次分子線エピタキシー法によってエピタキシャル成長し、この後、SiO2 マスクを形成し、ケミカルエッチングにより層8を層7に到るまで除去してリッジストライプを形成する。次に、マスクを残したまま、n型GaP電流狭窄層9を選択成長する。さらに、マスクを除去した後p型GaAsコンタクト層10を埋め込み成長し、p電極11及びn電極12を蒸着する。
請求項（抜粋）：
GaP半導体基板上に設けられたダブルヘテロ接合構造において、有機金属気相成長(MOCVD)法又は分子線エピタキシー(MBE)法により成長された禁制帯幅の大きな光導波層はAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>P(0≦y≦1)材料により形成され禁制帯幅の小さい活性層は直接遷移型のGa<SB>x</SB>In<SB>1-x</SB>P(0<x<1)材料により形成されており、かつ該光導波層或いは少なくとも該活性層には導電型を示す不純物とは別に窒素が不純物としてドープされており、さらに該Ga<SB>x</SB>In<SB>1-x</SB>P活性層は半導体基板に対して組成xにおける臨界膜厚以下の範囲の膜厚で設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
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