特許
J-GLOBAL ID：200903076333206244
絶縁性薄膜製造用塗布組成物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
武井 英夫
, 清水 猛
, 伊藤 穣
, 鳴井 義夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-228160
公開番号（公開出願番号）：特開2004-067435
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】多孔性シリカである絶縁性薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有する絶縁性薄膜を提供する。【解決手段】アルコキシシランに由来する珪素原子を特定の割合で含有するシリカ前駆体と、特定の構造を有するアセチレン誘導体を微小量含有することを特徴とする絶縁薄膜製造用の塗布組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
少なくとも下記一般式(1)及び/又は一般式(2)で表される1〜6官能性のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも1種以上の化合物を含有するシリカ前駆体であって、アルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物に由来する珪素原子の合計に対する1〜3官能性のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物に由来する珪素原子の合計の割合が5mol%〜80mol%であるシリカ前駆体(A)と、下記一般式(3)で表される有機化合物(B)と水(C)とを含有することを特徴とする絶縁性薄膜製造用塗布組成物。
R1 n (Si)(OR2 )4-n (1)
(式中、R1 、R2 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素または1価の有機基を表し、nは0〜3の整数である)
R3 m (R4 O)3-m Si-(R7 )p -Si(OR5 )3-q R6 q (2)
(式中、R3 、R4 、R5 およびR6 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素または1価の有機基を示し、mおよびqは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子または(CH2 )r で表される基を示し、rは1〜6を、pは0または1を示す。)
R8 (CH3 )C(OR9 )-C≡C-C(OR9’)(CH3 )R8’ (3)
(式中、R8 とR8’は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素または炭素数1〜10のアルキル基、R9 とR9’は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素、炭素数1〜10のアルキル基、(CH2 CH2 O)x H(xは20以下の整数)で表される置換基のいずれかを示す。)
IPC (5件)：
C03B8/02
, C03B19/12
, C03B20/00
, H01L21/316
, H01L21/768
C03B8/02 A
, C03B8/02 K
, C03B8/02 N
, C03B19/12 A
, C03B20/00 J
, H01L21/316 G
, H01L21/90 S
4G014AH02
, 4G014AH04
, 5F033RR23
, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033XX24
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BC05
, 5F058BC20
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ02
