特許
J-GLOBAL ID：200903076342362216
圧電/電歪デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
千葉 剛宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-133004
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320101
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】可動部を大きく変位することができると共に、可動部の変位動作の高速化(高共振周波数化)を達成させる。【解決手段】相対向する一対の薄板部16a及び16bと、可動部20と、これら薄板部16a及び16bと可動部20を支持する固定部22とを具備し、一対の薄板部16a及び16bにそれぞれ圧電/電歪素子24a及び24bが配設され、一対の薄板部16a及び16bの両内壁と可動部20の内壁20aと固定部22の内壁22aとにより孔部12が形成された圧電/電歪デバイス10Aであって、可動部20の先端面から孔部12にかけて断面矩形状の貫通孔36を形成して可動部20を軽量化する。
請求項（抜粋）：
相対向する一対の薄板部と、可動部と、これら薄板部と可動部を支持する固定部とを具備し、前記一対の薄板部のうち、少なくとも1つの薄板部に1以上の圧電/電歪素子が配設され、前記一対の薄板部の両内壁と前記可動部の内壁と前記固定部の内壁とにより孔部が形成された圧電/電歪デバイスであって、前記可動部に切欠きを有することを特徴とする圧電/電歪デバイス。
IPC (8件)：
H01L 41/09
, B81B 7/02
, B81C 3/00
, G01L 1/16
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H01L 41/22
, H02N 2/00
B81B 7/02
, B81C 3/00
, G01L 1/16 B
, H02N 2/00 B
, H01L 41/08 J
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/18 101 Z
, H01L 41/22 Z
