特許

J-GLOBAL ID：200903076352233295

化学機械的研磨方法及び装置

発明者： リー, キュー-ホン ,  リー, ヨン-ビョウク ,  カン, サン-ウォン
出願人/特許権者： ジェニテック カンパニー リミテッド ,  セミコンテック コーポレーション
代理人 (1件)： ▲吉▼川 俊雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562942
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521839
出願日： 1999年07月31日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】半導体基板の耐久性、信頼性及び研磨効率を高める化学機械的研磨の方法及びその装置。本発明の化学機械的研磨方法は、基板上にわたって原理的に均一な研磨を保証しうるため、基板と研磨布はそれぞれ軌道運動する。上記方法を使用する本発明の装置は工程の信頼性を安定させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板の研磨面を化学機械的に研磨する方法において、 研磨対象基板と研磨布をそれぞれ設ける段階と、 前記基板の研磨面を研磨布の表面に接触させる段階と、 前記研磨布と基板をそれぞれ軌道運動させるが、前記軌道運動が研磨布と基板との間の相対速度を発生させて基板の研磨が行われるようにする段階とを備えることを特徴とする化学機械的研磨方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 37/04 ,  B24B 41/047 ,  B24B 47/12 ,  H01L 21/306

FI (7件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 G ,  B24B 37/04 K ,  B24B 41/047 ,  B24B 47/12 ,  H01L 21/306 M

Fターム (18件)：

3C034AA13 ,  3C034BB01 ,  3C034BB31 ,  3C034CB01 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AA11 ,  3C058AB01 ,  3C058BA01 ,  3C058BA05 ,  3C058BB02 ,  3C058BC03 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F043DD16 ,  5F043FF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• デバイス付きウエーハのプラナリゼーシヨンポリツシング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-261472   出願人：土肥俊郎, 中川威雄, 河西敏雄, 不二越機械工業株式会社