特許

J-GLOBAL ID：200903076375275190

セラミック回路基板

発明者： 坂ノ上 聡浩
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299196
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135899
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、表層配線の接着強度の信頼性を向上させたセラミック回路基板を提供するものである。【解決手段】 本発明によれば、800〜1000°Cで焼成可能なガラス-セラミック材料から成る基板上に表層配線2を一体的に焼結して成るセラミック回路基板において、前記基板のガラス-セラミック材料は、低融点結晶化ガラス粉末を45〜70重量%、セラミック粉末を55〜30重量%含み、前記ガラス粉未は当該ガラス粉未中の重量%表示で実質的にA12 O3 を15〜25重量%、SiO2 を40〜43重量%、CaOを3〜5重量%、ZnOを10〜15重量%、MgOを15〜17重量%、B2 O3 を4〜7重量%含有していることを特徴とするセラミック回路基板である。

請求項（抜粋）：

800〜1000°Cで焼成可能なガラス-セラミック材料から成る基板上に表層配線を一体的に焼結して成るセラミック回路基板において、前記基板のガラス-セラミック材料は、低融点結晶化ガラス粉末を45〜70重量%、セラミック粉末を55〜30重量%含み、且つ前記ガラス粉未はA12 O3 を15〜25重量%、SiO2 を40〜43重量%、CaOを3〜5重量%、ZnOを10〜15重量%、MgOを15〜17重量%、B2 O3 を4〜7重量%含有していることを特徴とするセラミック回路基板。

IPC (5件)：

H05K 1/03 610 ,  C03C 10/00 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/16 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

H05K 1/03 610 D ,  C03C 10/00 ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 T ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/16 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-252548
  
• 特開昭64-056340
  
• 低温焼成回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-014906   出願人：京セラ株式会社
• 特開平1-252548
  
• 特開昭64-056340