特許
J-GLOBAL ID：200903076425977883
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337162
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202338
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】従来、素子形成のプロセスが複雑で再現性や良品歩留まりに乏しい、また集積化に適していないなどの課題を解決し、素子形成が容易で高速変調可能な、また集積化にも適した光変調器を再現性良く得る手段を提供する。【構成】本発明は、吸収層を含む半導体を積層いてなる光半導体装置において、前記吸収層を真性半導体層により取り囲んだ構成とすることにより、吸収層部分に印可される電界の均一化を図るとともに素子容量も小さく消光特性、高速変調特性に優れた光変調器を実現する。さらに順方向素子、逆方向素子の如何にかかわらず良好な特性を実現可能なため、集積化にも適した構成となっている。
請求項（抜粋）：
基板上に吸収層を含む半導体層を積層してなる光半導体装置において、前記吸収層を真性半導体層によ取り囲んだことを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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