充放電試験装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-300465
公開番号（公開出願番号）：特開2009-130960
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】被試験体の電圧がゼロ近傍においても高精度定電流で放電でき,必要に応じて逆極充電できる。【解決手段】直流電源の正,負端子間に小電流用と,大電流用のスイッチングアームを並列に設け,該アームを構成するスイッチング素子の直列接続点にリアクトルを介して被試験体の一端を接続し,他端を電圧蓄積回路の一端に接続する。該電圧蓄積回路の他端を直流電源の負の端子に接続する。バイアス安定化スイッチング素子のオン,オフによって該電圧蓄積回路の端子間電圧を一定に保持してゼロ電圧被試験体を通電する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

出力端に平滑コンデンサが接続された直流電源と、該直流電源に対してそれぞれ並列接続された、各ダイオードが逆並列接続された第1、第2の半導体スイッチング素子の直列接続体である第1スイッチングアーム、各ダイオードが逆並列接続された第3、第4の半導体スイッチング素子の直列接続体である第2スイッチングアーム、および、各ダイオードが逆並列接続された第5、第6の半導体スイッチング素子の直列接続体である第3スイッチングアームと、前記第1、第2の半導体スイッチング素子の制御電極に接続し、前記第1、第2の半導体スイッチング素子のスイッチング制御を行う第1制御回路と、前記第3、第4の半導体スイッチング素子の制御電極に接続し、バイアス電圧検出手段でのバイアス電圧検出結果に応じて前記第3、第4の半導体スイッチング素子のスイッチング制御を行う第2制御回路と、前記第5、第6の半導体スイッチング素子の制御電極に接続し、前記第5、第6の半導体スイッチング素子のスイッチング制御を行う第3制御回路と、被試験体の+極と前記第1、第2の半導体スイッチング素子の中点との接続回路に挿入された第1リアクトル、前記+極と前記第5、第6の半導体スイッチング素子の中点との接続回路に挿入された第3リアクトル、および前記被試験体の-極と前記第3、第4の半導体スイッチング素子の中点との接続回路に挿入された第2リアクトルと、前記被試験体の前記+極側の電流または電圧を検出する電流検出手段または電圧検出手段と、前記被試験体の前記-極側に接続されたコンデンサと抵抗器との直列接続体であるバイアス電圧蓄積回路と、該バイアス電圧蓄積回路のバイアス電圧を検出するバイアス電圧検出手段と、前記電流検出手段または前記電圧検出手段の検出結果に応じて、前記第1制御回路と前記第3制御回路とを高速で切り替える切替指示手段と、前記被試験体の逆充電電流を制御するように、前記第2制御回路と、前記第1制御回路または前記第3制御回路とに、パルス幅制御または導電度制御のための制御信号を与える逆充電制御手段と、を備えた充放電試験装置。

IPC (3件)：

H02J 7/00 , G01R 31/36 , G01R 31/00

FI (3件)：

H02J7/00 Q , G01R31/36 A , G01R31/00

Fターム (41件)：

2G016CB02 , 2G016CB03 , 2G016CC01 , 2G016CC02 , 2G016CC07 , 2G016CC09 , 2G016CC23 , 2G016CD04 , 2G016CD10 , 2G016CD14 , 2G016CD18 , 2G036AA28 , 2G036BA37 , 2G036BB02 , 2G036CA10 , 2G036CA12 , 5G503AA01 , 5G503AA05 , 5G503BA01 , 5G503BB01 , 5G503BB03 , 5G503CA02 , 5G503DA07 , 5G503EA09 , 5G503GA01 , 5H730AS04 , 5H730AS08 , 5H730AS17 , 5H730BB02 , 5H730BB03 , 5H730BB13 , 5H730BB14 , 5H730BB86 , 5H730CC28 , 5H730DD13 , 5H730DD16 , 5H730DD28 , 5H730EE76 , 5H730FD01 , 5H730FG22 , 5H730FV02

引用特許：

出願人引用 (1件)

電子負荷装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-313624 出願人：富士通電装株式会社

審査官引用 (1件)

充放電試験装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-180913 出願人：株式会社三社電機製作所

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