特許
J-GLOBAL ID：200903041589712025
充放電試験装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180913
公開番号（公開出願番号）：特開2005-020858
出願日： 2003年06月25日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】被試験体の電圧がゼロ近傍においても高精度定電流で放電でき,必要に応じて逆極充電できる。【解決手段】直流電源の正,負端子間に小電流用と,大電流用のスイッチングアームを並列に設け,該アームを構成するスイッチング素子の直列接続点にリアクトルを介して被試験体の一端を接続し,他端を電圧蓄積回路の一端に接続する。該電圧蓄積回路の他端を直流電源の負の端子に接続する。バイアス安定化スイッチング素子のオン,オフによって該電圧蓄積回路の端子間電圧を一定に保持してゼロ電圧被試験体を通電する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
各ダイオードが逆並列接続された第1と第2の半導体スイッチング素子の直列接続体である第1スイッチングアームと,各ダイオードが逆並列接続された第3と第4の半導体スイッチング素子の直列接続体である第2スイッチングアームと,出力端に平滑コンデンサが接続された直流電源とが並列接続されており,第1と第2の半導体スイッチング素子の接続点である第1中点と,第3と第4の半導体スイッチング素子の接続点である第2中点との間に各リアクトルを介して接続される被試験体を有する充放電試験装置において,第1および第2の半導体スイッチング素子を休止期間を挟んで交互導通させる制御信号を生成し,該素子によって被試験体の充電及び放電電流を制御する第1制御回路を,第1スイッチングアームの各素子に接続して充放電手段を形成し,第1制御回路は,定電流検出器または定電圧検出器からの検出値を設定値と比較し誤差増幅した信号を加えて充電電圧制御または充電電流制御または放電電流制御をさせる制御信号を生成し第1,第2の半導体スイッチング素子の制御電極に接続されていて,コンデンサと抵抗器の直列接続体で構成されたバイアス電圧蓄積回路と,第3,4の半導体スイッチング素子の制御電極に休止期間を挟んで交互に導通させる制御信号を生成し供給する第2制御回路と,第3,4の半導体スイッチング素子とでバイアス電圧安定化手段を形成し,被試験体の電圧が0ボルト以下でも被試験体の放電を可能にしたことを特徴とした充放電試験装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5G003AA01
, 5G003BA01
, 5G003DA07
, 5G003DA15
, 5G003EA09
, 5G003FA08
, 5G003GA01
, 5G003GB03
, 5H730AA14
, 5H730AS08
, 5H730AS17
, 5H730BB11
, 5H730DD02
, 5H730FD01
, 5H730FD21
, 5H730FD31
, 5H730FG01
, 5H730FG24
