電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-023943
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222578
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】正孔の蓄積によるキンクおよび耐圧低下を回避する。【構成】半絶縁性基板1上にアンドープInAlAs層2,p型ドープInAlAs層3,アンドープInAlAs層4,アンドープInGaAs層5,アンドープInAlAs層6,n型ドープInAlAs層7,アンドープInAlAs層8,n型ドープInAlAs層9,n型ドープInGaAs層10が順次積層する半導体多層構造が形成され、この多層構造上に表面からInAlAs層8に達する深さのゲート電極11が形成され、InGaAs層10上にはソース電極12,ドレイン電極13が形成され、多層構造の一部分には各層4〜10を貫通し、InAlAs層3に達する深さで高濃度p型ドープ領域14が形成され、この高濃度p型ドープ領域14上にはオーミック電極15が形成されている。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上にn型導電チャネルを有する化合物半導体層が形成され、前記n型導電チャネル上にゲート電極,ソース電極およびドレイン電極が配設された電界効果トランジスタにおいて、前記半絶縁性基板と前記n型導電チャネルとの間にp型不純物半導体層を含み、かつ前記化合物半導体層の一部に前記p型不純物半導体層に接して高濃度p型不純物半導体領域を有し、前記高濃度p型不純物半導体領域に接するオーミック電極を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-267345
特開平4-005833
特開平3-278544

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