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J-GLOBAL ID：200902098637281544   整理番号：81A0349313

銀を含むAs-S系アモルファス半導体メモリー素子の製作法とその電気的特性

著者 (3件)： 広瀬洋一 (日本工大工) ,  広瀬治男 (日本工大工) ,  国岡昭夫 (青山学院大理工)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 101  号： 6  ページ： 332-338  発行年： 1981年06月 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 素子の電圧-電流特性とAs-S材料の膜厚,光拡散させた銀膜厚...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (2件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (27件)：

• (1) S. R. Ovshinsky & H. Fritzsche: "Amorphous semiconductor for switching, memory and image applications", IEEE Trans. Electron Devices, ED-20, 91 (1973)
• (2) D. Adler: Amorphous Semiconductors, p. 96 (1972) Butterworths, London
• (3) H. J. Hovel: "Switching and memory in ZnSe-Ge heterojunctions", Appl. Phys. Letters, 17, 141 (1970)
• (4) Y. Hamakawa & M. Yoshida: "Current break off and memory effect in SbSI-SnO₂ heterostructure thin film", Proc. 2nd. Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1970, Suppl. to Oyo Buturi, 40, 80 (1971)
• (5) T. Matsushita, T. Yamagami & M. Okuda: "Polarized memory effect observed on Se-SnO₂ System", Japan J. Appt. Phys., 11, 1657 (1972)

タイトルに関連する用語 (5件)： 銀 ,  アモルファス半導体 ,  メモリー素子 ,  製作法 ,  電気的特性