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J-GLOBAL ID:200902098637281544   整理番号:81A0349313

銀を含むAs-S系アモルファス半導体メモリー素子の製作法とその電気的特性

著者 (3件):
資料名:
巻: 101  号:ページ: 332-338  発行年: 1981年06月 
JST資料番号: S0808A  ISSN: 0385-4205  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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素子の電圧-電流特性とAs-S材料の膜厚,光拡散させた銀膜厚...
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分類 (2件):
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非晶質・液体半導体の電気伝導  ,  記憶装置 
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