特許

J-GLOBAL ID：200903076486019516

単結晶成長用基体

発明者： 磯上 峯男 ,  鷹野 致和
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038818
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288231
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 欠陥のきわめて少ない良質な窒化ガリウム薄膜を合成し得る新規で優れた単結晶成長用基体を提供すること。【構成】 窒化ガリウム単結晶を気相成長させる主面が、立方晶系,三方晶系,六方晶系又はルチル型正方晶系のいずれかの結晶系に属する単結晶から成り、かつ該主面の格子面間隔の整数倍をA、窒化ガリウム単結晶の成長方向における格子面間隔の整数倍をBとしたときに、|A-B|/Aが0.03以下の値であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム単結晶を気相成長させる主面が、立方晶系,三方晶系,六方晶系又はルチル型正方晶系のいずれかの結晶系に属する単結晶から成り、かつ該主面の格子面間隔の整数倍をA、窒化ガリウム単結晶の成長方向における格子面間隔の整数倍をBとしたときに、|A-B|/Aが0.03以下の値を有する単結晶成長用基体。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭49-003899
  
• 積層半導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348400   出願人：シャープ株式会社