特許

J-GLOBAL ID：200903076491485487

レジストパターン形成方法

発明者： 田中 稔彦 ,  森上 光章
出願人/特許権者： 株式会社ソルテック
代理人 (1件)： 吉原 省三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341085
公開番号（公開出願番号）：特開平6-222570
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 密集した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレジストパターンがそのパターン倒れなしに形成できるレジストパターン形成方法を提供せんとするものである。【構成】 露光後現像液4を用いてレジスト2を現像すると共に、リンス液5により該現像液4の除去を行なって、このリンス液5をスピン乾燥する段になった時に、該リンス液5に粘度の低い液体を用いる。

請求項（抜粋）：

露光後現像液を用いてレジストを現像すると共に、リンス液により該現像液の除去を行ない、更にこのリンス液の乾燥を行なうレジストパターン形成方法において、該リンス液に粘度の低いものを用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/32 501 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-173032
  
• 特開昭62-274720
  
• レジスト現像方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-228118   出願人：日本電気株式会社