めっき方法及び電子装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-314953
公開番号（公開出願番号）：特開2009-138224
出願日： 2007年12月05日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：

【課題】結晶破壊やめっき剥離を起こし難い金属めっきを形成することができるめっき方法及びそのような金属めっきを備える電子装置を提供すること。【解決手段】開口16aが形成されるとともに、前記開口16aの内周面が裏面側から表面側に向かうほど前記開口側に大きく迫り出すレジストパターン16を形成する工程と、前記レジストパターンに形成される前記開口を充填する金属めっき18を形成する工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

開口が形成されるとともに、前記開口の内周面が裏面側から表面側に向かうほど前記開口側に大きく迫り出すレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに形成される前記開口を充填する金属めっきを形成する工程と、を含むことを特徴とするめっき方法。

IPC (5件)：

C25D 5/02 , H01L 21/288 , G03F 7/40 , G03F 7/26 , H01S 5/022

FI (5件)：

C25D5/02 B , H01L21/288 E , G03F7/40 521 , G03F7/26 513 , H01S5/022

Fターム (16件)：

2H096AA27 , 2H096HA28 , 2H096JA04 , 4K024AA11 , 4K024BB09 , 4K024BB12 , 4K024FA05 , 4K024GA16 , 4M104BB09 , 4M104BB15 , 4M104DD35 , 4M104DD52 , 4M104FF08 , 5F173MC04 , 5F173MD12 , 5F173MD84

引用特許：

審査官引用 (4件)

端子、端子の形成方法、半導体チップ、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-364399 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-146122 出願人：日本電気株式会社
特開平3-248528

全件表示

前のページに戻る