特許
J-GLOBAL ID：200903076519400164
発光装置および電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-162221
公開番号（公開出願番号）：特開2006-337713
出願日： 2005年06月02日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】 コンタクトホールを介した接続の確実性を向上する。【解決手段】 半導体層31は、ソース領域31sとドレイン領域31dとの間にチャネル領域31cを有する。ゲート電極34は、ゲート絶縁層32を挟んでチャネル領域31cに対向する。ソース電極36は、半導体層31およびゲート電極34を覆う第1層間絶縁層61の面上に形成されるとともにコンタクトホールCH1sを介してソース領域31sに導通する。ソース電極36は、ゲート電極34と重なるゲート対向部分361を含む。画素電極65は、ソース電極36を覆う第2層間絶縁層62の面上に形成され、この第2層間絶縁層62のうちゲート対向部分361と重なる位置に形成されたコンタクトホールCH2を介してソース電極36に導通する。画素電極65と共通電極68との間には発光層67が介在する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ソース領域とドレイン領域との間にチャネル領域を有する半導体層と、
ゲート絶縁層を挟んで前記チャネル領域に対向するゲート電極と、
前記半導体層を覆う第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の面上に形成されるとともに当該第1層間絶縁層の第1コンタクトホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域に導通する中間導電体であって前記ゲート電極と対向する部分を含む中間導電体と、
前記中間導電体を覆い、当該中間導電体のうち前記ゲート電極と対向する部分に重なる位置に第2コンタクトホールを有する第2層間絶縁層と、
前記第2層間絶縁層の面上に形成され、前記第2コンタクトホールを介して前記中間導電体に導通する画素電極と、
前記画素電極とこれに対向する他の電極との間に介挿された発光層と
を有する発光装置。
IPC (3件)：
G09F 9/30
, H01L 51/50
, H01L 27/32
G09F9/30 338
, H05B33/14 A
, G09F9/30 365Z
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
, 5C094AA32
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094FB01
