特許
J-GLOBAL ID：200903061597502650
エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置用配線基板、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-172103
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011571
出願日： 2003年06月17日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】開口率を向上することで、寿命の長いボトムエミッション構造からなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。【解決手段】配線15,18をITO等からなる光透過性を有する導電膜で形成した。さらに、配線18、TFT31の上部に平坦化膜19を形成し、その平坦化膜19上に、画素電極20、有機化合物層22及び陰極23からなる有機エレクトロルミネッセンス素子30を、広い範囲に形成可能にした。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
光透過性を有する基板に電子素子が形成され、前記電子素子の上方にエレクトロルミネッセンス素子が形成され、前記基板と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に配線が形成されたエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記配線を、光透過性を有する導電膜で形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
IPC (4件)：
H05B33/14
, H05B33/02
, H05B33/10
, H05B33/28
H05B33/14 A
, H05B33/02
, H05B33/10
, H05B33/28
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB11
, 3K007AB17
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
出願人引用 (5件)
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特開昭58-178563
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薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-081483
出願人：富士ゼロックス株式会社
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表示装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-312462
出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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審査官引用 (5件)
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