特許
J-GLOBAL ID:200903076566453608

光電変換材料用半導体、光電変換素子、太陽電池及び光電変換材料用半導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-208359
公開番号(公開出願番号):特開2007-026930
出願日: 2005年07月19日
公開日(公表日): 2007年02月01日
要約:
【課題】 本発明の目的は、高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子、太陽電池及び光電変換材料用半導体の製造方法を提供することである。【解決手段】 色素増感された光電変換材料用半導体において、該色素増感に用いられる色素の少なくとも一種がラテントピグメントであることを特徴とする光電変換材料用半導体。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
色素増感された光電変換材料用半導体において、該色素増感に用いられる色素の少なくとも一種がラテントピグメントであることを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (3件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  C09B 19/02
FI (3件):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  C09B19/02
Fターム (14件):
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20 ,  5H032HH06
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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