薄膜トランジスタを有する装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172693
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028340
出願日： 1993年06月12日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】非晶質珪素膜をガラス基板に歪を与えない温度以下で結晶化して作製する薄膜トランジスタを有する装置。【解決手段】ガラス基板101上に酸化珪素下地膜102を形成し、マスク103の間隙100のみにIn薄膜を作り、非晶質珪素膜104をCVD成膜した後、550°Cで4時間のアニールにより、Inの効果で基板101に平行方向105に導電率の良い結晶化を行い、更にランプ加熱により、緻密な結晶膜とする。この上に酸化珪素絶縁膜106を成膜し、ゲート電極107,109を形成し表面酸化して絶縁膜108,110としこれをマスクにそれぞれN型、P型の不純物を注入してN領域114,116及びP領域111,113を形成してN型TFT、P型TFTとする。(In以外の金属類については明細書に詳述)

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを有する装置であって、前記薄膜トランジスタは、絶縁表面上のシリコンを有する半導体膜と、一導電性を有する前記半導体膜中の一対の不純物領域と、前記半導体膜の前記一対の不純物領域の一部上に金属を含む物質と、を有しており、前記金属を含む物質がB、Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、ランタノイド元素、C、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、N、P、As、Sb、Bi、V、NbおよびTaから選択される1種または複数種の元素からなることを特徴とする装置。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 27/08 331 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368

FI (6件)：

H01L 21/20 , H01L 27/08 331 E , H01L 27/12 A , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229120 出願人：沖電気工業株式会社
特開平3-218640
特開平3-227525

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