特許
J-GLOBAL ID：200903076577080641
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152211
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018049
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 少ない工程数で、ライズドソ-ス・ドレインを形成し、浅い接合のMOSトランジスタを得ること。【構成】 ポリシリコンゲ-ト電極6の上部および側壁に酸化膜8を残し、ソース・ドレイン部分にシリコン基板を露出させる。続いてN型のアモルファスシリコン9を形成する。その後、適宜な熱処理によりソ-スドレイン部分のアモルファスシリコン9を単結晶化させ、エピタキシャル層10を形成する。続いて、アモルファスシリコン9を選択的にエッチングしてライズドソ-ス・ドレイン11、11を形成する。その後、適宜な熱処理により、ライズドソ-ス・ドレイン11からN型不純物を拡散させ、n-層12、12を形成する。これにより、n-層12、12を1回の熱処理で形成でき、浅い接合のNチャネルMOSトランジスタを製造することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたライズドソース・ドレイン部からの拡散により、基板に浅い接合の不純物領域を形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/20
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 S
, H01L 21/265 P
