特許

J-GLOBAL ID：200903076599189736

先端トランジスタ製造のための低熱量窒化シリコンの形成

発明者： ワン, ヤクシン ,  イアー, スリャナラヤナン ,  シューター, ショーン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-522560
公開番号（公開出願番号）：特表2008-507845
出願日： 2005年07月12日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

一実施形態においては、基板表面上に窒化シリコンを含有する層を堆積させるための方法であって、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、該基板を所定の温度に加熱するステップと、該基板表面をアルキルアミノシラン化合物と少なくとも1つのアンモニアを含まない反応種に曝すステップと、を含む前記方法が提供される。他の実施形態においては、基板上に窒化シリコン層を堆積させるための方法であって、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、該基板を所定の温度に加熱するステップと、基板表面をビス(tert-ブチルアミノ)シランと試薬、例えば、水素、シラン及び/又はジシランに曝すステップと、を含む前記方法が提供される。【選択図】 図1B

請求項（抜粋）：

基板表面上に窒化シリコンを含有する層を堆積させるための方法であって、 基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと、 該基板を所定の温度に加熱するステップと、 基板表面をアルキルアミノシラン化合物と少なくとも1つのアンモニアを含まない反応種に曝すステップと、 該基板表面上に窒化シリコン材料を堆積させるステップと、 を含む前記方法。

IPC (7件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/732 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/318 B ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/72 P ,  H01L21/90 N

Fターム (48件)：

5F003BC02 ,  5F003BC08 ,  5F003BC90 ,  5F003BZ02 ,  5F033QQ25 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW06 ,  5F058BA05 ,  5F058BC08 ,  5F058BE01 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA34 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG52 ,  5F140BH05 ,  5F140BH06 ,  5F140BH27 ,  5F140BH34 ,  5F140BK18 ,  5F140BK27 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒素含有ケイ素化合物膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-348190   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド