窒素含有ケイ素化合物膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 鈴木康仁 , 池田成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-348190
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186210
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】ウェットエッチレートの低い窒素含有ケイ素化合物膜を形成する。【解決手段】本発明の方法は、反応容器内の被成膜体上にCVD法によって窒素含有ケイ素化合物膜を形成する。反応容器内に導入する原料ガスとしては、ビス・ターシャル・ブチル・アミノ・シラン(BTBAS)のみを使用する。NH3は使用しない。本発明の方法により得られる窒素含有ケイ素化合物膜は、低いウェットエッチレートを有している。このため、LDD構造のサイドウォール、エッチストッパ、エッチング用のマスク、パシベーション膜などとして好適である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

反応容器内の被成膜体上にCVD法によって窒素含有ケイ素化合物膜を形成する方法であって、前記反応容器内に導入する原料ガスとして、アミノ基を含むケイ素化合物のみを使用することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L21/318 , H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/318 B , H01L21/90 K

Fターム (13件)：

5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033RR06 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F058BA08 , 5F058BA20 , 5F058BC11 , 5F058BF02 , 5F058BF22 , 5F058BJ03 , 5F058BJ07

引用特許：

審査官引用 (9件)

保護膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-289860 出願人：沖電気工業株式会社, 宮崎沖電気株式会社
半導体基体の保護絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032467 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の保護膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-284351 出願人：川崎製鉄株式会社

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