半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301037
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297811
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】トレンチ内に絶縁膜を埋め込む際に、トレンチ内の絶縁膜に継ぎ目や空孔が発生しないようにする。【解決手段】トレンチ15を形成し、このトレンチ内に1回目のTEOS膜18を堆積し、ウエットエッチング法により1回目のTEOS膜18をエッチバックした後に、トレンチ15内に2回目のTEOS膜21を堆積することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトレンチを形成する工程と、上記トレンチ内に絶縁膜を堆積する工程と、ウエットエッチング法により上記絶縁膜をエッチバックする工程と、上記トレンチ内に上記絶縁膜と同一材料からなる絶縁膜を堆積する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開昭58-143549
特開昭58-143548
特開平4-003958

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