特許

J-GLOBAL ID：200903076612203565

研磨装置およびこれを用いた研磨方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007983
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【構成】 研磨布1が張設された単一の回転定盤2と、研磨布1上に研磨剤3を供給する研磨剤供給手段12,13と、基体4,5を密着保持し、これを回転させながら研磨布1に摺接させるための第1の基体保持台6および第2の基体保持台7と、各基体保持台6,7の各上流側にて各々が独立に回転可能となされた第2の研削ヘッド10および第2の研削ヘッド11とを備える。そして、この研削ヘッド10,11により、研磨布1の表面粗度をいずれの基体4,5に摺接する領域でも略等しくなるように研削しながら、該基体4,5を研磨する。【効果】 複数の基体に対して同時に研磨を行っても、基体間の研磨特性を均一化することができるようになる。したがって、半導体装置の製造プロセスにおける平坦化に適用すると、優れたスループットにて信頼性の高い多層配線構造のデバイスを製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

研磨布が張設された単一の回転定盤と、前記研磨布上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、基体を密着保持し、これを回転させながら前記研磨布に摺接させるための複数の基体保持台と、前記各基体保持台につき少なくとも1つ以上設けられ、自身が保持する研削砥粒を前記研磨布に摺接させることによって、該研磨布の表面粗度を調整する研削手段とを備えることを特徴とする研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (5件)：

H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 H ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 P ,  B24B 37/00 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ウェーハ加圧用ポリッシングプレート及びウェーハのポリッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195880   出願人：不二越機械工業株式会社