特許

J-GLOBAL ID：200903076618761152

半導体ウェハを露光する方法

発明者： シェーデル, トルステン ,  ザイデル, トルステン
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース エスシー300 ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-541450
公開番号（公開出願番号）：特表2004-513528
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

半導体ウェハを露光する方法が提供される。露光装置の露光パラメータを調整することおよび半導体ウェハ(10)上の露光場のマトリックス構成(22)にパターンを投影することによって該半導体ウェハ(10)を露光する方法である。この方法は、例えば、半導体エッチングまたは堆積プロセス等のプロセスの不均一性の影響の補償を、任意の露光場(21)に対する露光装置の露光パラメータ(30)、好適には、照射量および焦点のセットを、半導体ウェハ(10)全体にわたって個別に調整することによって提供する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

露光装置の露光パラメータを調整することおよび半導体ウェハ(10)上の露光場のマトリックス構成(22)にパターンを投影することによって該半導体ウェハ(10)を露光する方法であって、 露光場の該マトリックス構成(22)は、少なくとも2つの領域(20、20’)に分割され、該領域(20、20’)の各々に、露光装置の照射量および焦点を含む露光パラメータ(30)の異なったセットが提供される、第1の工程と、 各露光場(21)は、該露光パラメータ(30)のセットを用いて露光され、該パラメータは、露光場(21)に関する該領域(20、21’)に関連する、第2の工程と を包含し、 該第1の工程および該第2の工程は、パシベーション層上がレジストによって被覆される該半導体ウェハ(10)上で実行される、方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (2件)：

H01L21/30 514C ,  G03F7/20 521

Fターム (4件)：

5F046BA03 ,  5F046DA02 ,  5F046DA14 ,  5F046DA30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• フォトレジスト膜のパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-054323   出願人：ソニー株式会社
• フォトリソグラフィー工程の露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-331695   出願人：日鉄セミコンダクター株式会社