特許

J-GLOBAL ID：200903076640124611

現像方法

発明者： 高桑 隆浩 ,  水戸 秀明 ,  福本 博文 ,  岩本 文男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189261
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007595
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 従来のレジスト現像方法では、現像液に溶解したレジスト成分がリンス液滴下により析出し、ウェハ表面に薄膜状の異物が付着する。その異物がパターン上に付着すると、パターン欠陥となるという問題を有していた。【解決手段】 本発明による現像方法は、パドル現像工程を実施後、リンス工程を行わないで現像液を振り切ることでレジストが溶解している現像液を半導体ウェハから除去するものである。リンス工程を行わないことにより、リンス液によって現像液の濃度が低下し現像液中に溶解しているレジスト成分が析出・凝集しウェハ表面に付着するのを防止する。さらに、現像工程とリンス工程を繰り返すことにより、現像時に発生する薄膜状の異物を低減することができる。

請求項（抜粋）：

表面にレジストを塗布した半導体ウェハを回転させながら前記半導体ウェハ上へ現像液を供給する工程と、前記半導体ウェハの回転を停止して前記半導体ウェハの表面において前記現像液による前記レジストの現像反応を進行させる工程と、前記現像液を洗い流すリンス工程前に前記半導体ウェハを回転させて前記現像液と前記現像液に溶解された前記レジストを除去する工程とを備えたことを特徴とする現像方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30

FI (2件)：

G03F 7/30 ,  H01L 21/30 569 C

Fターム (7件)：

2H096AA25 ,  2H096GA17 ,  2H096GA29 ,  2H096GA30 ,  5F046LA03 ,  5F046LA08 ,  5F046LA14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-171917
  
• 特開平4-171917
  
• 半導体装置の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-002781   出願人：ソニー株式会社