特許

J-GLOBAL ID：200903076666576553

半導体装置及びその製造方法

発明者： 鹿野 功
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311269
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153544
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】配線層あたり単一のレジスト膜を使用して上層配線と接続する導体を有する配線層と層間絶縁膜を同時形成し、半導体装置の高集積化を企る。【解決手段】半導体基板1の表面に導電材料から成る被膜3-1を形成し、配線を形成する部分には細い幅のレジスト膜4a-2を形成するとともに上層との接続を行う部分はそれより太い幅のレジスト膜4b-1,4b-2を形成し、酸素等を回転イオン注入と略垂直イオン注入を組み合わせて注入し、絶縁部を形成することにより、半導体基板表面に配線層と層間絶縁膜と接続導体を同時に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の絶縁膜を選択的に被覆する第1の配線層と、前記第1の配線層の形成された第1の絶縁膜を被覆する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜に設けられた開口を埋めて形成され、前記第2の絶縁膜を選択的に被覆する第2の配線層、又はリードに接続される接続導体とを有し、前記開口及び接続導体がこれらの直下部の前記第1の配線層と自己整合していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-167659
  
• 金属配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068541   出願人：松下電器産業株式会社