特許
J-GLOBAL ID：200903085456756680
金属配線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068541
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283525
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 多層配線工程においてコスト削減、工程短縮、合わせずれ防止、スルーホールの信頼性を向上する。【構成】 シリコン基板301上にBPSG膜302を堆積し、第1のAL-Si-Cu膜303とW膜304と第2のAL-Si-Cu膜305を堆積した後、レジストパターン306を形成する。まず第2のAL-Si-Cu膜305を、つぎにW膜304をエッチングする。そして金属配線307上に残ったレジストパターン306を除去する。次に、第2のAL-Si-Cu305をエッチングし、中心部にレジスト残り部308がある為に第2のAL-Si-Cu膜305のマスクとして働き、金属ピラー309を残存する。そして金属ピラー上に層間絶縁膜を形成し、金属ピラー309の先が露出するまで、エッチバックをかけ第2の金属配線313を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁膜を被覆した半導体基板素子上に金属薄膜を堆積後、広パターンと狭パターンを有する第1の配線形成用のフォトレジストでパターン出し、第1のエッチングを用いて前記フォトレジストパターンに被覆されていない前記金属薄膜をエッチングし、第1の金属配線を形成する工程と、第2のエッチングとしてスパッター性強いのエッチングで前記第1の金属配線を前記フォトレジストパターンと共にエッチングし、前記狭パターン部の金属配線を薄く、広パターン部ではの金属配線を厚く残すエッチングをする工程と、層間絶縁膜用の第2の絶縁膜を堆積し、前記第2の絶縁膜を第1配線の前記広パターンの1部が露出するまで、平坦化するためのエッチバックする工程と、第2の金属配線を形成する工程を含むことを特徴とする多層配線構造の製造方法。
引用特許：
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