特許
J-GLOBAL ID：200903076669142392
窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
, 皆川 祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-085639
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177110
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】素子破壊を抑制することができる、III族窒化物半導体からなる窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】窒化物半導体素子は、n-型層3およびp型層4を有する窒化物半導体積層構造部2を備えている。窒化物半導体積層構造部2には、トレンチ5が形成されている。トレンチ5の壁面8の上部から幅方向に広がるトレンチ5の周辺領域は、n+型領域6である。一方、p型層4においてn+型領域6以外の領域は、ボディ領域7である。また、壁面8の全域を覆い、さらにp型層4の最表面21には、ゲート絶縁膜9が形成されている。ゲート絶縁膜9の開口13から露出するボディ領域7には、ボディ用電極15が形成されている。また、ゲート絶縁膜9の開口12から露出するn+型領域6には、ソース電極14が形成されている。ドレイン電極16は、基板1の他方面に接触形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型のIII族窒化物半導体からなる第1層、この第1層上に設けられたp型不純物を含むIII族窒化物半導体からなる第2層、およびこの第2層の一部に形成されたn型領域を備え、前記第1層、前記第2層における前記n型領域以外のボディ領域、および前記n型領域に跨る壁面を有する窒化物半導体構造部と、
前記壁面における前記ボディ領域に対向するように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで、前記ボディ領域に対向するように形成されたゲート電極と、
前記n型領域に電気的に接続されるように形成されたソース電極と、
前記第1層に電気的に接続されるように形成されたドレイン電極と、
前記ボディ領域に電気的に接続されるように形成されたボディ用電極と
を含む、窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 652L
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652C
