電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長門侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-361183
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163354
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】動作時のオン抵抗を充分に小さくすることが可能な高耐圧のFET及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 p型GaNチャネル層16がその上下をn型GaNソース層18及びn型GaNドレイン層14によって挟まれた積層構造をメサ形状に加工してその側面に傾斜面を形成し、この傾斜面におけるp型GaNチャネル層16の傾斜した側面上にSiO2ゲート絶縁膜24を介してゲート電極40Ga、40Gbを設けている。即ち、p型GaNチャネル層16の傾斜した側面をチャネル領域としている。このため、そのチャネル長をp型GaNチャネル層16の厚さによって制御することが可能となり、容易かつ高精度に短チャネル長化を達成することができる。

請求項（抜粋）：

ワイドギャップ半導体からなるチャネル層の上下にソース層及びドレイン層が配置されている積層構造を有し、前記積層構造の側面は、所定の角度をもつ傾斜面又は垂直面になっており、前記傾斜面又は前記垂直面における前記チャネル層の側面を含む箇所に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/205 , H01L 21/8234 , H01L 27/08 331 , H01L 27/088 , H01L 29/43 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653

FI (8件)：

H01L 21/205 , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 653 B , H01L 29/78 626 A , H01L 29/62 G , H01L 27/08 102 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 301 B

Fターム (119件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA09 , 4M104BB05 , 4M104BB21 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD75 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF03 , 4M104FF04 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104GG08 , 4M104GG18 , 4M104HH20 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD12 , 5F048AA01 , 5F048AA05 , 5F048AC01 , 5F048BA03 , 5F048BA05 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC03 , 5F048BC11 , 5F048BD01 , 5F048BD09 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F110AA07 , 5F110AA11 , 5F110CC09 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK05 , 5F110HK08 , 5F110HK13 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL05 , 5F110HL11 , 5F110HM03 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC23 , 5F140AC36 , 5F140BA06 , 5F140BB03 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BD05 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BF44 , 5F140BF51 , 5F140BG30 , 5F140BH09 , 5F140BH25 , 5F140BH30 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ28 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC10 , 5F140CC13 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (3件)

GaN系電界効果トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-041555 出願人：古河電気工業株式会社
半導体装置及び半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-133536 出願人：富士通株式会社
特開平1-140672

審査官引用 (7件)

GaN系電界効果トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-041555 出願人：古河電気工業株式会社
半導体装置及び半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-133536 出願人：富士通株式会社
特開平1-140672

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