半導体装置とその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288844
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130246
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】三次元的な構造をもった共通コンタクトのコンタクト抵抗を低減させる。【構成】活性領域にゲート絶縁膜14を成長させた後、その上からN型ポリシリコン膜16を形成しパターン化してゲート電極及びポリシリコン電極16を形成する。次に全面に砒素を注入し、基板にソース・ドレイン領域を形成する。全面に層間絶縁膜20を形成した後、ドレイン領域18上でポリシリコン電極16に一部重なる位置に、コンタクトホール21を形成し、コンタクトホール21内にポリシリコン電極23の表面の一部を露出させる。その後、層間絶縁膜20をマスクとして、コンタクトホール21を通してリン22をイオン注入し、熱処理を施して活性化した後、メタル配線25を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面に形成された第2導電型の高不純物濃度拡散領域が基板上のポリシリコン電極及びメタル配線に電気的に接続される接点を有する半導体装置において、前記接点は基板上に形成された下層の第1絶縁膜及び上層の第2絶縁膜を通して前記拡散領域上にあけられたコンタクトを有し、ポリシリコン電極が第1、第2の絶縁膜の間に挾まれて形成されているとともに、コンタクトホール内に露出しており、メタル配線がそのコンタクトホールを介してポリシリコン電極及び拡散領域にともに接触しており、かつポリシリコン電極のコンタクトホール内への露出部には拡散領域と同一導電型の不純物が導入されて低抵抗化されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/90 D , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-004005 出願人：三菱電機株式会社
特開昭63-127562
特開平3-082154

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