特許
J-GLOBAL ID：200903076694255410
不揮発性メモリ、半導体装置、およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022703
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298100
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 他の半導体装置との一体形成および小型化が可能な不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 不揮発性メモリを構成するメモリTFT、スイッチングTFT、および他の周辺回路をTFTでもって基板上に一体形成する。メモリTFTとスイッチングTFTとを同一の半導体活性層上に形成すること、及びメモリTFTの半導体活性層を、他のTFTの半導体活性層よりも薄く形成することによって、メモリTFTの低電圧書き込み/消去を実現することができ、劣化が起こりにくく、小型化が可能な不揮発性メモリが提供される。
請求項（抜粋）：
メモリTFTとスイッチングTFTとから成るメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを少なくとも備えた不揮発性メモリであって、前記メモリTFTは、絶縁基板上に形成される第1の半導体活性層と、第1の絶縁膜と、フローティングゲート電極と、第2の絶縁膜と、コントロールゲート電極と、を少なくとも備えており、前記スイッチングTFTは、前記絶縁基板上に形成される第2の半導体活性層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を少なくとも備えており、前記メモリTFTと前記スイッチングTFTとは、前記絶縁基板上に一体形成され、前記第1の半導体活性層と前記第2の半導体活性層とは、連続的につながっており、前記第1の半導体活性層の厚さは、前記第2の半導体活性層の厚さよりも薄いことを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (10件)：
H01L 21/8247
, H01L 27/115
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, H01L 27/10 434
, H01L 27/10 671 C
, H01L 29/78 371
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 613 B
, H01L 29/78 618 D
, H01L 29/78 627 G
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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