特許

J-GLOBAL ID：200903003461126337

膜構造体、電子デバイス、記録媒体および酸化物導電性薄膜の製造方法

発明者： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189065
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026296
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 Si単結晶基板上に、表面が平坦でかつ十分な自発分極値を有する強誘電体薄膜、特にPZT薄膜を形成するために、強誘電体薄膜の応力を制御でき、かつ表面の平坦性が良好な導電性薄膜を形成する。【解決手段】 Si(100)面を表面に有する基板と、この基板上に形成された酸化物導電性薄膜とを有し、前記酸化物導電性薄膜が、ストロンチウムルテナイトを主成分とするエピタキシャル膜であり、前記酸化物導電性薄膜の表面の少なくとも80%が、基準長さ5000nmでの十点平均粗さRzが10nm以下である膜構造体。前記酸化物導電性薄膜上に、ジルコンチタン酸鉛等からなる強誘電体薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

Si(100)面を表面に有する基板と、この基板上に形成された酸化物導電性薄膜とを有する膜構造体であって、前記酸化物導電性薄膜が、ルテニウム酸ストロンチウムを主成分とするエピタキシャル膜であり、前記酸化物導電性薄膜の表面の少なくとも80%が、基準長さ5000nmでの十点平均粗さRzが10nm以下である膜構造体。

IPC (13件)：

H01G 7/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/14 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/083

FI (12件)：

H01G 7/06 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 27/14 K ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/08 Q ,  H01L 41/08 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 酸化物積層構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158521   出願人：ソニー株式会社
• 特表平7-509689
  
• 強誘電性素子のための多層電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-086509   出願人：シャープ株式会社
• 電子デバイス用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-231986   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 酸化物積層構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336158   出願人：ソニー株式会社