特許
J-GLOBAL ID:200903076706009738

固体撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐野 静夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-088149
公開番号(公開出願番号):特開2002-290835
出願日: 2001年03月26日
公開日(公表日): 2002年10月04日
要約:
【要約】【課題】本発明は、素子温度によって出力に与えられる影響を抑圧することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】リセット時に、電圧発生回路10x内に設けられた遮光画素で検温された素子温度に応じた直流電圧VPS-LがMOSトランジスタT2のソースに与えて、MOSトランジスタT2を素子温度に応じたポテンシャル状態にすることで、素子温度に左右されるフォトダイオードPDから流れる暗電流及びMOSトランジスタT2の閾値電圧の影響を低減させることができる。
請求項(抜粋):
入射した光量に応じた電気信号を発生する感光素子と該感光素子からの電気信号が入力されるとともにサブスレッショルド領域で動作するトランジスタとを備えて前記電気信号を自然対数的に変換する光電変換部を有する複数の画素から成る固体撮像装置において、前記固体撮像装置の温度に応じた電圧を出力する電圧発生回路を有し、該電圧発生回路から出力される電圧によって、前記トランジスタをバイアスすることによって、前記トランジスタのポテンシャル状態を設定することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (3件):
H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 P ,  H01L 27/14 A
Fターム (9件):
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118FA06 ,  5C024CX32 ,  5C024EX15 ,  5C024GY31 ,  5C024HX02
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る