特許

J-GLOBAL ID：200903076735028253

薄膜堆積用分子線源セル

発明者： 高橋 弘
出願人/特許権者： 株式会社エイコー・エンジニアリング
代理人 (1件)： 北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180283
公開番号（公開出願番号）：特開2004-018997
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】基板1の成膜面上に均一な膜厚の薄膜を形成できるようにすると共に、基板1の成膜面を分子放出口4に近づけても、いわゆるスピッティング現象によりクラスター化した分子が成膜面に飛来しないようにする。【解決手段】薄膜堆積用分子線源セルは、成膜材料aを収納する坩堝5と、この坩堝5の中の成膜材料aを加熱して昇華またたは蒸発させる加熱手段と、前記坩堝5から発生した成膜材料aの分子を通す小空間であるバッファ室9と、このバッファ室9に分子通路13を介して通じ、そのバッファ室9より十分容積の大きな空間を有するリザーブ室10と、このリザーブ室10の壁に開口し、その中の分子を固体表面の成膜面へ向けて放出する分子放出口4とを有する【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

成膜材料(a)を加熱することにより、その成膜材料(a)を昇華または蒸発して、固体表面に薄膜を成長させるための分子を発生する真空蒸着用分子線源セルにおいて、成膜材料(a)を収納する坩堝(5)と、この坩堝(5)の中の成膜材料(a)を加熱して昇華またたは蒸発させる加熱手段と、前記坩堝(5)から発生した成膜材料(a)の分子を通す小空間であるバッファ室(9)と、このバッファ室(9)に分子通路(13)を介して通じ、そのバッファ室(9)より十分容積の大きな空間を有するリザーブ室(10)と、このリザーブ室(10)の壁に開口し、その中の分子を固体表面の成膜面へ向けて放出する分子放出口(4)とを有することを特徴とする薄膜堆積用分子線源セル。

IPC (3件)：

C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (3件)：

C23C14/24 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (9件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02 ,  4K029BA62 ,  4K029BD00 ,  4K029DB06 ,  4K029DB11 ,  4K029DB12 ,  4K029DB13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-045296   出願人：株式会社デンソー