シリコン系半導体薄膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：目次誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018214
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214790
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】熱CVD法により、異種基板上に欠陥の少ない良好な膜質のシリコン系半導体薄膜を生産性よく製造する。【解決手段】基板1上に、下地層としてシリコン系半導体の多結晶層3を形成し、多結晶層3の少なくとも表面3aをレーザーアニールした後、熱CVD法によりその上にシリコン系半導体薄膜を結晶成長させることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

熱CVD法によりシリコン系半導体薄膜を製造する方法において、下地層としてシリコン系半導体の多結晶層を形成し、該多結晶層の少なくとも表面をレーザーアニールした後、前記熱CVD法によりその上に前記シリコン系半導体薄膜を結晶成長させることを特徴とするシリコン系半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-196311
特開昭62-104021
特開平2-119122

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