特許
J-GLOBAL ID：200903088200280580
多結晶半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268469
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082442
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、大粒径の結晶で形成した多結晶半導体薄膜に、エキシマレーザ光を照射してアニール処理することにより、多結晶半導体薄膜の結晶性を高性能化して、移動度,ON/OFF比等のトランジスタ特性の向上を図る。【構成】 第1の工程で、基板11の上面に形成した非晶質半導体層13を低温固相成長させることにより多結晶半導体層14を生成し、次いで第2の工程で、多結晶半導体層14の上層側を除去することで当該多結晶半導体層14を薄膜化して、多結晶半導体薄膜15を形成する。その後第3の工程で、多結晶半導体薄膜15にエキシマレーザ光30を照射してアニール処理する。
請求項（抜粋）：
基板の上面に形成した非晶質半導体層を低温固相成長させることにより多結晶半導体層を生成する第1の工程と、前記多結晶半導体層の上層側を除去することで、当該多結晶半導体層を薄膜化して多結晶半導体薄膜を形成する第2の工程と、前記多結晶半導体薄膜層にエキシマレーザ光を照射してアニール処理する第3の工程とによりなることを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/784
