特許

J-GLOBAL ID：200903076747490092

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 龍治 彰 ,  井上 薫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088568
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302625
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 しきい値の均一性の向上を図る。【構成】 動作層上に、n-In0.49Ga0.51Pエッチングストッパ層5と、n-Alx Ga1-x As層6と、GaAsキャップ層7とを順次形成する。ゲート電極11はn-In0.49Ga0.51Pエッチングストッパ層5上に形成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に少なくとも動作層とキャップ層を有する電界効果トランジスタであって、前記キャップ層の直下にn型のIn0.49Ga0.51P層とn型のAlx Ga1-x As層とを順次設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344456   出願人：ローム株式会社
• 特開平4-199641
  
• 特開昭61-248568
  
• 特開平4-321235