特許
J-GLOBAL ID：200903076758378790

光導波路の製造方法

発明者：
牧川 新二

牧川 新二 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227605
公開番号（公開出願番号）：特開平11-064658
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【解決手段】 炉芯管内に配置されたシリコン基板を、水素ガス導入管及び酸素ガス導入管によってそれぞれ導入された水素ガス及び酸素ガスの反応によって生じる水蒸気で酸化して酸化膜を形成する工程を含む光導波路の製造方法において、上記水素ガス導入管及び酸素ガス導入管の少なくとも先端部がそれぞれ単結晶シリコンによって形成されていることを特徴とする光導波路の製造方法。【効果】 本発明によれば、シリコン基板を酸化して、5μm以上の酸化膜を形成する光導波路の製造方法において、酸化する際のガス導入管を単結晶シリコンにて作製することで、シリコン基板の汚染を低減することができる。
請求項（抜粋）：
炉芯管内に配置されたシリコン基板を、水素ガス導入管及び酸素ガス導入管によってそれぞれ導入された水素ガス及び酸素ガスの反応によって生じる水蒸気で酸化して酸化膜を形成する工程を含む光導波路の製造方法において、上記水素ガス導入管及び酸素ガス導入管の少なくとも先端部がそれぞれ単結晶シリコンによって形成されていることを特徴とする光導波路の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (2件)

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