特許
J-GLOBAL ID：200903076775161037
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322608
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144126
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 樹脂封止後の半導体ウェハを効率よくしかも高品質で切断することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体素子の電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ1を予め樹脂シート2に貼着して保持させておき、樹脂層形成工程後に半導体ウェハ1を半導体素子の境界線に沿って切断する際に、切断部位の樹脂層4のみをレーザ加工などの非接触加工によって除去して除去溝4bを形成した後に、湿式エッチングによって除去溝4bに位置する半導体ウェハ1aをエッチング液の化学作用により溶解させて、半導体ウェハ1を個片の半導体素子1’に分離する。これにより、樹脂封止後の半導体ウェハを効率よくしかも高品質で切断することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の外部接続用の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面にこの電極形成面を封止する封止機能を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、この樹脂層形成工程後に前記半導体ウェハを半導体素子の境界線に沿って切断する切断工程とを含み、この切断工程において樹脂層のみを除去した後に半導体ウェハを湿式エッチング方法により切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/60
, H01L 21/60 311
, H01L 21/306
, H01L 21/56
, H01L 21/301
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/56 R
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/306 C
, H01L 21/78 S
5F043AA01
, 5F043DD01
, 5F043DD30
, 5F043GG01
, 5F044LL09
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
, 5F044RR18
, 5F044RR19
, 5F061AA01
, 5F061BA05
, 5F061CA05
, 5F061CB13
