半導体材料としてのナフタレン系テトラカルボン酸ジイミド

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 小林良博 , 出野知 , 蛯谷厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-542331
公開番号（公開出願番号）：特表2009-516930
出願日： 2006年11月07日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

薄膜トランジスタは、各イミド窒素原子に結合された、置換型又は非置換型脂環式環系(任意選択的に、電子供与基で置換されている)を有するテトラカルボン酸ジイミドナフタレン系化合物を含む有機半導体材料から成る層を含む。そのようなトランジスタは、離隔された第一及び第二のコンタクト手段又は前記材料に接触する電極をさらに含む。また、好ましくは、基板温度が、100°C以下である、基板上への昇華堆積による、有機薄膜トランジスタの製作方法を開示する。

請求項（抜粋）：

シアン化されていないナフタレン核、及び当該化合物中の各イミド窒素に直接的に結合された、それぞれ環炭素4〜10個の第1及び第2の脂環式系を有するN,N'-ジシクロアルキル置換型ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を含む有機半導体材料から成る薄膜を、薄膜トランジスタ内に含む物品であって、該脂環式系及び該ナフタレン核のそれぞれの上に独立して、任意選択的に1つ又は2つ以上の置換基が在り、該化合物中の各脂環式系上の任意の置換基は、少なくとも1つの電子供与有機置換基を含む。

IPC (3件)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A

Fターム (55件)：

4C065AA07 , 4C065AA19 , 4C065BB09 , 4C065CC09 , 4C065DD02 , 4C065EE02 , 4C065HH09 , 4C065JJ04 , 4C065KK09 , 4C065LL04 , 4C065PP04 , 4C065QQ01 , 4C065QQ02 , 5F051JA20 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (5件)

フタロシアニン結晶及びその製造方法と、これを含有した電子写真感光体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-213814 出願人：京セラミタ株式会社
半導体回路および画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-169799 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機電界効果トランジスタ、それを具備する平板ディスプレイ装置、及び有機電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-086840 出願人：三星エスディアイ株式会社

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