特許

J-GLOBAL ID：200903044018851450

有機電界効果トランジスタ、それを具備する平板ディスプレイ装置、及び有機電界効果トランジスタの製造方法

発明者： ミハエル レデッカー ,  ヨルグ フィッシャー ,  アーサー マテア
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-086840
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286329
出願日： 2005年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】有機電界効果トランジスタ、それを具備する平板ディスプレイ装置及び有機電界効果トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板110と、基板110の上部に配置されるソース電極120及びドレイン電極160と、ソース電極120とドレイン電極160との間に配置される有機半導体層130と、有機半導体層130の領域に配置されるゲート電極150と、ゲート電極150と有機半導体層130との間に配置される電荷キャリア遮断層140と、を含み、電荷キャリア遮断層140は半導体材料を含むことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上部に配置されるソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極とドレイン電極との間に配置される有機半導体層と、 前記有機半導体層の領域に配置されるゲート電極と、 前記ゲート電極と前記有機半導体層との間に配置される電荷キャリア遮断層と、を含み、 前記電荷キャリア遮断層は半導体材料を含むことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/00

FI (8件)：

H01L29/78 618B ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G

Fターム (43件)：

4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5C094AA10 ,  5C094AA25 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094FB14 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE06 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-045573   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-223020   出願人：三菱化学株式会社
• 有機トランジスタ並びに有機電子デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-188190   出願人：日本放送協会

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors with high dielectric constant gate insulator