特許

J-GLOBAL ID：200903076787374079

細線構造をもつ半導体素子及びその製造方法

発明者： 中川 清和 ,  西田 彰男 ,  嶋田 寿一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310548
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162015
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】混晶比を下げることなく欠陥度の密度の低いSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>層を形成し、高効率の発光素子を、また、電子の平均の有効質量を小さくし、高速の電界効果トランジスタを得る。【構成】Si基板上に<100>方向に平行に幅10μm以下のSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>混晶からなる細線構造を形成し、細線構造部をチャネルとして用いる電界効果トランジスタ又は細線構造部を発光領域として用いる発光素子を構成する。【効果】細線構造によって、転位を導入することなくGe濃度xを大きくでき、基板Siとの間のヘテロ界面のバンド不連続値を従来よりも2倍程度に大きくする。この効果により電子正孔を閉じ込め有効に再結合させる。Si<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>細線を<100>に平行に形成することで格子不整合を利用して制御してSi<SB>1-X</SB>Ge<SB>X</SB>細線に<100>に平行な一軸性の圧縮応力を加え、電子の平均の有効質量を小さくし、従来のヘテロ界面を用いた電界効果トランジスタと比べ3倍の高速性能が得られた。

請求項（抜粋）：

単結晶Si基板上に幅が10μm以下のSi層/Si1-XGeX層/Si層の細線構造部をもつことを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/80 H