特許

J-GLOBAL ID：200903076787587862

シリコン単結晶の引上げ方法

発明者： 鈴木 洋二 ,  渡辺 敏彦 ,  坂本 秀樹 ,  田中 秀夫 ,  降屋 久
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052257
公開番号（公開出願番号）：特開平8-253388
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイス工程で熱処理したときにシリコンウェーハに発現する酸素析出物の密度の熱処理温度による変化を抑制する。as-grownのシリコンウェーハに生じるFPD密度を減少させる。【構成】 シリコン単結晶インゴット11が20〜950°Cの温度T1まで降下した時点で続いて長くても60分間で700〜1000°Cの温度T2まで昇温し(T2>T1)、この温度T2で長くても24時間保持し、その後徐冷することにより育成後シリコンウェーハにして熱処理したときにこのシリコンウェーハに生じる酸素析出物の密度の熱処理温度による変化を抑制する。

請求項（抜粋）：

引上げ装置(12)内の坩堝(4)に保持されたシリコン融液(7)からシリコン単結晶インゴット(11)を引上げる方法において、シリコン単結晶インゴット(11)が20〜950°Cの温度T1まで降下した時点で続いて長くても60分間で700〜1000°Cの温度T2まで昇温し(T2>T1)、この温度T2で長くても24時間保持し、その後徐冷することにより育成後シリコンウェーハにして熱処理したときにこのシリコンウェーハに生じる酸素析出物の密度の前記熱処理温度による変化を抑制することを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

IPC (2件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-104799
  
• 特開昭56-045894
  
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-140166   出願人：信越半導体株式会社