特許
J-GLOBAL ID：200903076791954314
液晶表示装置
出願人/特許権者：
三洋電機株式会社
三洋電機株式会社 について
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-043676
公開番号（公開出願番号）：特開平9-222616
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 p-SiTFTを用いた駆動回路一体型液晶表示装置において、セルギャップを均一にして、リタデーション量のばらつきによる輝度むらを防ぐ。【解決手段】 シール剤形成領域のゲートライン13L間にドレイン・ソース電極と同じ金属膜からなる台状膜17PLGを配列形成する。シール剤は台状膜17PLGが配列された領域で平坦化膜からなる第2の層間絶縁膜が均一な膜厚に形成された領域上に形成される。シール剤中に混入されるスペーサの粒径と、画素部に散布されるスペーサの粒径の差分を、シール剤形成領域と画素部に着く第2の層間絶縁膜の厚さの差分と同じすることでセルギャップが均一にされる。
請求項（抜粋）：
対向面上に、複数の多結晶シリコン薄膜トランジスタが形成され、画素部において、マトリクス状に配置された液晶駆動用の表示電極に接続されるとともに、周辺部においては、2つの導電型による電気的相補構造による駆動回路が形成された一方の基板と、対向面上に、液晶駆動用の共通電極が一面に形成された他方の基板と、これら2枚の基板が液晶を挟んで貼り合わされ、周縁部で接着剤により固定され、内部に液晶が密封されてなる液晶表示装置において、画素部において、第1のスペーサ粒が前記2枚の基板の間に配設され、周縁部において、前記接着剤中に前記第1のスペーサ粒よりも粒径の小さな第2のスペーサ粒が混入され、前記第1のスペーサ粒の粒径と前記第2のスペーサ粒の粒径の差分は、画素部において、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜の膜厚と、周縁部において、前記多結晶シリコン薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜の膜厚との差分に等しいことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4件)：
FI (4件)：
引用特許：
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