直流電界印加CVDによるダイヤモンド状炭素成長法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124797
公開番号（公開出願番号）：特開平7-291793
出願日： 1994年04月26日
公開日（公表日）： 1995年11月07日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド状炭素の析出において、析出速度の向上および結晶性の向上された析出物を得るための方法を提供することである。【構成】面状基板に近接して1対乃至複数対のフィラメント要素からなるフィラメントシステムを延設し、電流を通じて発熱させる一方、フィラメント要素対間、あるいはフィラメント要素対間に加えてさらにフィラメントシステムと基板との間に制御された直流電界を印加し、この構成中へ炭素含有ガスと水素ガスとを含む混合ガスを導入してプラズマ化し、このガスの組成および圧力を調整しながらダイヤモンド状炭素として基板上に析出させることを特徴とする、ダイヤモンド状炭素成長法。

請求項（抜粋）：

面状基板に近接して1対乃至複数対のフィラメント要素からなるフィラメントシステムを延設し、電流を通じて発熱させる一方、フィラメント要素対間、あるいはフィラメント要素対間に加えてさらにフィラメントシステムと基板との間に制御された直流電界を印加し、この構成中へ炭素含有ガスと水素ガスとを含む混合ガスを導入してプラズマ化し、このガスの組成および圧力を調整しながらダイヤモンド状炭素として基板上に析出させることを特徴とする、ダイヤモンド状炭素成長法。

IPC (2件)：

C30B 29/04 , C30B 25/02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-003098
ダイヤモンドの製造法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-176762 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭63-030397

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