特許

J-GLOBAL ID：200903076804974026

トランジスタの製造方法

発明者： 黒田 英明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-166420
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349854
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、イオン注入マスクを形成するリソグラフィー工程の低減を図るとともに、ソース領域側にポケット拡散層を形成し、かつドレイン領域側にLDD拡散層を形成して、トランジスタの電気的特性の向上を図る。【構成】 半導体基板11にゲート絶縁膜14を介してゲート電極15を形成した後、イオン注入マスク16を形成し、それに、ドレイン形成領域17のゲート電極15側の第1の所定領域S1上とソース形成領域18のゲート電極15側の第2の所定領域S2上とを開口する開口部19を設け、その後斜めイオン注入法によって、ソース形成領域18側の半導体基板11にポケット拡散層22を形成する第1の不純物41を導入し、続いてLDD拡散層23,25を形成する第2の不純物42を導入する。その後上記イオン注入マスク16を除去してから第3の不純物43を導入し、さらに各不純物導入領域を活性化して、Nチャネルトランジスタ1を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板のトランジスタ形成領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第1の工程と、前記トランジスタ形成領域のドレイン形成領域におけるゲート電極側の第1の所定領域上とソース形成領域におけるゲート電極側の第2の所定領域上とを開口する開口部を設けたイオン注入マスクを前記半導体基板上に形成した後、斜めイオン注入法によって、当該トランジスタ形成領域と同導電型のものでかつソース形成領域側の半導体基板にポケット拡散層を形成する第1の不純物を導入する第2の工程と、前記イオン注入マスクを用いたイオン注入法によって、ゲート電極の両側における前記半導体基板にLDD拡散層を形成する第2の不純物を導入する第3の工程と、前記ゲート電極より所定距離だけ離れた前記トランジスタ形成領域の半導体基板にソース領域とドレイン領域とを形成する第3の不純物を導入する第4の工程と、前記第1,第2,第3の不純物を導入した領域を活性化して、前記ゲート電極の両側におけるトランジスタ形成領域にLDD拡散層を介してソース領域とドレイン領域を形成するとともに、少なくともソース領域のLDD拡散層のチャネル領域側に当該トランジスタ形成領域と同導電型のポケット拡散層を形成する第5の工程とを行うことを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 S ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-262130
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275564   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-233238