特許
J-GLOBAL ID：200903076808701261
補強半導体基板の製造方法及び製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-401253
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197934
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 熱処理後の太陽電池セル等の反りを抑え、安価に樹脂塗布のタクトタイムを短縮することができる補強半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の表面にエポキシ樹脂などの熱硬化性材料を塗布する塗布工程と、塗布後に前記半導体基板を第1の熱処理温度で熱処理する第1熱処理工程と、第1の熱処理後に前記半導体基板を第2の熱処理温度で熱処理する第2熱処理工程とを備える。第1の熱処理温度は、第2の熱処理温度よりも高く、110°Cから130°Cであり、第2の熱処理温度は、90°Cから110°Cであることが好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に熱硬化性材料を塗布する塗布工程と、塗布後に前記半導体基板を第1の熱処理温度で熱処理する第1熱処理工程と、第1の熱処理後に前記半導体基板を第2の熱処理温度で熱処理する第2熱処理工程とを備えることを特徴とする補強半導体基板の製造方法。
Fターム (7件)：
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051BA11
, 5F051BA14
, 5F051HA01
, 5F051HA20
, 5F051JA09
