特許
J-GLOBAL ID：200903076816107794
プラズマ発生加工方法およびプラズマ発生加工装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154294
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345803
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ発生装置内試料台上のイオン束分布を高周波電力源周波数を変化させて制御することにより、プラズマによる試料加工を精度良く行なう方法を提供することを目的とする。【解決手段】 プラズマ発生真空チャンバ81内部に、試料台85が設置され、この試料台にインピーダンス整合回路86を介して自己DCバイアスを形成するための可変周波数高周波電力源87が具備され、さらにこの高周波電力源の周波数を制御するための周波数制御回路91が具備されており、上記プラズマ発生チャンバに設置されているエッチング終点検出器90、あるいはプログラム制御装置92の信号により、ガスコントローラ82、排気系83及び周波数制御回路91を制御し、これらにより上記チャンバ内部の周波数及びガス圧力を最適化する。
請求項（抜粋）：
電離させるべきガスを導入し、プラズマを発生する機能を有した真空チャンバ内部に試料台を設置し、この試料台に高周波電力を印加することにより自己DCバイアスを形成し、これによりイオンを試料台に向かうように加速誘導させることを用いて試料を加工するようにしたプラズマ発生加工装置であって、高周波電力の印加周波数及びチャンバ内部のガス圧力の時間変化を最適化することにより、試料台表面近傍に形成されるシース幅とイオンの平均自由行程、及びイオンのシース中における経過時間を制御し、これらにより、試料台に到達するイオンのエネルギー分布及び入射角度分布の時間変化を制御しながら、プラズマによる試料の加工を行うことを特徴とするプラズマ発生加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
H01L 21/302 C
, H01L 21/205
